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通过顶层 a-C:H:Si:O 设计提高 a-C:H 薄膜的耐蚀性
编号：1313 访问权限：仅限参会人 更新：2023-04-17 10:10:39 浏览：1485次 张贴报告

报告开始：2023年04月23日 11:55（Asia/Shanghai）

报告时间：5min

所在会场：[SH] POSTER [SHOW] POSTER

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摘要
 在a-C:H薄膜的沉积过程中，不可避免地会出现因应力过大而引起的缺陷（针孔或不连续性），从而降低a-C:H薄膜的耐腐蚀性能。在这项研究中，使用乙炔 (C2H2) 和/或六甲基二硅氧烷 (HMDSO) 为反应物，以提高 a-C:H 薄膜的耐腐蚀性，同时确保薄膜的适当整体硬度。通过电化学阻抗谱（EIS）和Tafel极化研究了薄膜的腐蚀行为。我们发现 a-C:H/a-C:H:Si:O 薄膜由于其更强的电容特性而具有较低的电解质渗透率。此外，a-C:H/a-C:H:Si:O 薄膜 （10-10 A·cm-2）的腐蚀电流密度比 a-C:H 薄膜 （10-8 A·cm-2）降低了 2 个数量级。比316不锈钢（10-7 A·cm-2）高出3个数量级。使用适当的等效电路对 EIS 获得的阻抗结果进行了模拟，并使用相应的电学参数进一步验证了顶部 a-C:H:Si:O 层的电化学保护行为。
关键词
a-C:H:Si:O；a-C:H；耐腐蚀性能；EIS; Tafel极化
报告人
尹萍妹
中国科学院兰州化学物理研究所

稿件作者
尹萍妹 中国科学院兰州化学物理研究所
张广安 中国科学院兰州化学物理研究所
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重要日期

  • 会议日期

    04月21日

    2023

    至

    04月23日

    2023

  • 04月20日 2023

    初稿截稿日期

  • 04月23日 2023

    注册截止日期

主办单位
中国机械工程学会表面工程分会
承办单位
武汉材料保护研究所有限公司
特种表面保护材料及应用技术国家重点实验室
协办单位
中国科学院兰州化学物理研究所
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
中国科学院上海硅酸盐研究所
中国科学院金属研究所
广东省新材料研究所
大连理工大学
西安交通大学
北京科技大学
西南交通大学
哈尔滨工业大学
联系方式
  • 段金弟（中国机械工程学会表面工程分会）
  • ab******@126.com
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  • 蒋超（中国机械工程学会表面工程分会）
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