109 / 2023-11-17 10:47:54

SnGaO薄膜晶体管等离子体处理影响研究

薄膜晶体管，氧化锡，等离子体处理

以InGaZnO（IGZO）为代表的氧化物薄膜晶体管（TFT）具有漏电流小、迁移率高、工艺温度低等优点。IGZO性能虽优异，但其成分铟资源短缺，不利于长期可持续发展。本论文采用凝胶溶胶法制备了底栅结构SnGaO TFT，并研究了Ar/O2等离子体处理对SnGaO TFT电学特性的影响。其中，离子束溅射法制备的ITO作为源漏电极，沟道宽长比为500 μm/100 μm。研究结果表明，适当的氩等离子体处理可增强SnGaO TFT的电学性能，包括改善迁移率和亚阈值摆幅等，这主要是氧空位浓度增加所致。氧等离子体处理能够降低关态电流，增大开关比。但是过度Ar/O2等离子体处理会导致输出曲线“驼峰”现象。