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用于电致变色器件制备的先进多靶真空磁控溅射装备设计：优化工艺参数以提高性能

磁控溅射，设计，薄膜，电致变色器件

<font _mstmutation="1">本报告涉及磁控溅射装置。 特别是，重点改进用于电致变色器件制造的多靶真空磁控溅射的设计，以更好地控制沉积在基底表面上的薄膜的生长速率、均匀性和密度。 在薄膜工业中，在基材表面上沉积具有均匀性、高密度和良好的生长速率的薄膜是一个理想的目标。 为了实现这一目标，本文建议使用气体击穿理论（汤森理论）和帕邢定律等数学模型来研究等离子体密度、气体压力和靶材到基底距离之间的关系。 这将有助于进行定量研究以确定最佳工艺参数。 此外，我们将考虑磁控管的设计和配置，无论是平面磁控管还是圆柱形磁控管，因为这方面对于实现最佳结果起着至关重要的作用。</font><br />