小型化的高频高声速的SAW器件正受到人们的普遍关注，但市场上的SAW器件不是因为薄膜本身的相速度太低，使得制备出来的器件加工难度太大，就是因为尺寸太大不符合要求，本文通过探究不同参数（温度、功率、溅射气压、靶间距）对Mo择优取向的影响，发现低气压和高功率有利Mo(110)薄膜生长，接着，在此基础上探究不同温度、功率、氮氩比、溅射气压、退火、偏压以及Mo的厚度对高择优(002)AlN取向的影响，采用XRD、SEM、AFM等设备对制备出来的AlN薄膜进行性能表征。研究发现，低气压，高功率以及较低的氮气含量有利于AlN(002)的生长，另外，研究还发现氮气浓度对AlN(002)取向性变化最大，后期保持AlN厚度不变，调节氮氩比可以很好的改善AlN(002)取向，最后通过调控参数制备出高c轴择优取向的AlN薄膜。最后利用制备好AlN/Mo/Si薄膜制备SAW滤波器，并测出了滤波器的频率为188MHZ，插损为0.2dB，后期为制备高频率的SAW器件，改变叉指宽度到3um，从而有效的提高了频率到356MHZ，实现了从薄膜-器件一体化制备高频SAW滤波器的作用。
 

高择优取向；SAW滤波器；薄膜-器件一体化；压电性能